Àwọn olùwádìí fọ́tò OFC2024

Ẹ jẹ́ ká wo OFC2024 lónìí.fotodetectors, èyí tí ó ní nínú GeSi PD/APD, InP SOA-PD, àti UTC-PD jùlọ.

1. UCDAVIS rí i pé Fabry-Perot jẹ́ ohun tí kò ní àwọ̀ tó lágbára tó 1315.5nm.olùwádìí fọ́tòpẹ̀lú agbára ìdènà kékeré gan-an, tí a ṣírò pé ó jẹ́ 0.08fF. Nígbà tí ìfàsẹ́yìn bá jẹ́ -1V (-2V), agbára ìṣàn dúdú náà jẹ́ 0.72 nA (3.40 nA), àti ìwọ̀n ìdáhùn náà jẹ́ 0.93a /W (0.96a /W). Agbára ojú tí ó kún fún ìṣàn jẹ́ 2 mW (3 mW). Ó lè ṣe àtìlẹ́yìn fún àwọn àdánwò data iyara gíga 38 GHz.
Àwòrán tó tẹ̀lé yìí fi bí AFP PD ṣe wà hàn, èyí tó ní ìtọ́sọ́nà ìgbìmọ̀ afẹ́fẹ́ tó so pọ̀ mọ́ Ge-on-Olùwádìí fọ́tòpẹ̀lú ìtọ́sọ́nà ìwave SOI-Ge iwájú tí ó ṣe àṣeyọrí ìsopọ̀mọ́ra ipò tí ó ju 90% lọ pẹ̀lú ìṣàfihàn tí ó jẹ́ <10%. Ẹ̀yìn náà jẹ́ ìṣàfihàn Bragg tí a pín kiri (DBR) pẹ̀lú ìṣàfihàn tí ó ju 95% lọ. Nípasẹ̀ àpẹẹrẹ ihò tí a ṣe àtúnṣe (ipò ìbáramu ìpele ìrìn àjò), ìṣàfihàn àti ìfiranṣẹ́ ti resonator AFP ni a lè mú kúrò, èyí tí yóò mú kí ìfàmọ́ra Ge detector dé nǹkan bí 100%. Lórí gbogbo bandwidth 20nm ti ìgbì ààrin, R+T <2% (-17 dB). Ìbú Ge jẹ́ 0.6µm àti pé a ṣírò pé capacitance jẹ́ 0.08fF.

2, Huazhong University of Science and Technology ṣe silicon germanium kanfọ́tòdáìdì òjò yìnyín, bandwidth >67 GHz, ere >6.6. SACMOlùwádìí fọ́tò APDA ṣe ìṣètò ìsopọ̀pọ̀ pípín transverse ni orí pẹpẹ optical silicon. Intrinsic germanium (i-Ge) àti intrinsic silicon (i-Si) ń ṣiṣẹ́ gẹ́gẹ́ bí fẹlẹfẹlẹ tí ń fa ìmọ́lẹ̀ àti ìpele méjì elekitironi, lẹ́sẹẹsẹ. Agbègbè i-Ge pẹ̀lú gígùn 14µm ń ṣe ìdánilójú gbígbà ìmọ́lẹ̀ tó péye ní 1550nm. Àwọn agbègbè i-Ge àti i-Si kékeré ń ṣe ìrànlọ́wọ́ láti mú kí ìwọ̀n photocurrent pọ̀ sí i àti láti fẹ̀ sí i lábẹ́ foliteji onípele gíga. A wọn àwòrán ojú APD ní -10.6 V. Pẹ̀lú agbára optical input ti -14 dBm, àwòrán ojú ti àwọn àmì OOK 50 Gb/s àti 64 Gb/s ni a fi hàn ní ìsàlẹ̀, àti SNR tí a wọ̀n jẹ́ 17.8 àti 13.2 dB, lẹ́sẹẹsẹ.

3. Àwọn ohun èlò ìṣàfihàn ìṣàfihàn BiCMOS oní-ìwọ̀n 8-inch IHP fi germanium hànOlùwádìí fọ́tò PDpẹ̀lú ìbú ìpẹ̀kun tó tó 100 nm, èyí tó lè mú kí pápá iná mànàmáná tó ga jùlọ àti àkókò ìyípadà fọ́tò tó kúrú jùlọ. Ge PD ní ìwọ̀n ìpele OE ti 265 GHz@2V@ 1.0mA DC photocurrent. Ìṣàn iṣẹ́ náà hàn ní ìsàlẹ̀. Ohun tó tóbi jùlọ ni pé a ti pa ìfisí ion SI àdàpọ̀ àṣà ìbílẹ̀ tì, a sì gba ètò ìfọ́ ìdàgbàsókè láti yẹra fún ipa ìfisí ion lórí germanium. Ìṣàn dúdú náà jẹ́ 100nA,R = 0.45A /W.
4, HHI ṣe afihan InP SOA-PD, ti o ni SSC, MQW-SOA ati photodetector iyara giga. Fun O-band. PD ni idahun A ti 0.57 A/W pẹlu kere ju 1 dB PDL, lakoko ti SOA-PD ni idahun ti 24 A/W pẹlu kere ju 1 dB PDL. Iwọn bandwidth ti awọn mejeeji jẹ ~60GHz, ati iyatọ ti 1 GHz le jẹ nitori igbohunsafẹfẹ resonance ti SOA. A ko rii ipa apẹrẹ ninu aworan oju gangan. SOA-PD dinku agbara opitika ti a beere nipa 13 dB ni 56 GBaud.

5. Àwọn ohun èlò ETH Type II mú kí GaInAsSb/InP UTC-PD sunwọ̀n síi, pẹ̀lú bandiwidi ti 60GHz@ odo bias àti agbára ìjáde gíga ti -11 DBM ní 100GHz. Ìtẹ̀síwájú àwọn àbájáde ìṣáájú, nípa lílo agbára ìgbafẹ́ elekitironi ti GaInAsSb tí a mú sunwọ̀n síi. Nínú ìwé yìí, àwọn fẹ́lẹ́fẹ́lẹ́ ìfàmọ́ra tí a mú sunwọ̀n síi ní GaInAsSb tí ó ní ìwọ̀n 100 nm àti GaInAsSb tí kò ní ìwọ̀n 20 nm. Fẹ́lẹ́fẹ́lẹ́ NID ń ran lọ́wọ́ láti mú ìdáhùn gbogbogbòò sunwọ̀n síi, ó sì tún ń ran lọ́wọ́ láti dín agbára gbogbogbòò ti ẹ̀rọ náà kù àti láti mú bandiwidi náà sunwọ̀n síi. UTC-PD 64µm2 ní bandiwidi odo-bias ti 60 GHz, agbára ìjáde -11 dBm ní 100 GHz, àti ìṣàn saturation ti 5.5 mA. Ní ìyípadà bias ti 3 V, bandiwidi náà ń pọ̀ síi sí 110 GHz.

6. Innolight ṣe agbekalẹ awoṣe idahun igbohunsafẹfẹ ti germanium silicon photodetector lori ipilẹ ti a ronu ni kikun nipa lilo doping ẹrọ, pinpin aaye ina ati akoko gbigbe ti a ṣe nipasẹ fọto. Nitori iwulo fun agbara titẹ sii nla ati bandwidth giga ni ọpọlọpọ awọn ohun elo, titẹ agbara opitika nla yoo fa idinku ninu bandwidth, iṣe ti o dara julọ ni lati dinku ifọkansi ti ngbe ni germanium nipasẹ apẹrẹ eto.

7, Yunifásítì Tsinghua ṣe àgbékalẹ̀ oríṣi mẹ́ta ti UTC-PD, (1) ìṣètò ìpele ...