Ga iyara photodetectors ti wa ni a ṣe nipaInGaAs photodetectors
Ga-iyara photodetectorsni aaye ti ibaraẹnisọrọ opitika nipataki pẹlu III-V InGaAs photodetectors ati IV kikun Si ati Ge /Si photodetectors. Awọn tele ni a ibile nitosi infurarẹẹdi aṣawari, eyi ti o ti jẹ ako fun igba pipẹ, nigba ti igbehin da lori silikoni opitika ọna ẹrọ lati di a nyara star, ati ki o jẹ kan gbona iranran ni awọn aaye ti okeere optoelectronics iwadi ni odun to šẹšẹ. Ni afikun, awọn aṣawari tuntun ti o da lori perovskite, Organic ati awọn ohun elo onisẹpo meji ti n dagbasoke ni iyara nitori awọn anfani ti iṣelọpọ irọrun, irọrun ti o dara ati awọn ohun-ini tunable. Awọn iyatọ nla wa laarin awọn aṣawari tuntun wọnyi ati awọn aṣawari inorganic ti aṣa ni awọn ohun-ini ohun elo ati awọn ilana iṣelọpọ. Awọn aṣawari Perovskite ni awọn abuda gbigba ina ti o dara julọ ati agbara gbigbe idiyele idiyele daradara, awọn aṣawari ohun elo Organic ni lilo pupọ fun idiyele kekere wọn ati awọn elekitironi rọ, ati awọn aṣawari awọn ohun elo onisẹpo meji ti fa ifojusi pupọ nitori awọn ohun-ini ti ara alailẹgbẹ wọn ati gbigbe gbigbe giga. Sibẹsibẹ, ni akawe pẹlu awọn aṣawari InGaAs ati Si / Ge, awọn aṣawari tuntun tun nilo lati ni ilọsiwaju ni awọn ofin ti iduroṣinṣin igba pipẹ, idagbasoke iṣelọpọ ati isọpọ.
InGaAs jẹ ọkan ninu awọn ohun elo ti o dara julọ fun riri iyara giga ati awọn olutọpa esi giga. Ni akọkọ, InGaAs jẹ ohun elo semikondokito bandgap taara, ati iwọn bandgap rẹ le ṣe ilana nipasẹ ipin laarin In ati Ga lati ṣaṣeyọri wiwa awọn ifihan agbara opiti ti awọn gigun gigun oriṣiriṣi. Lara wọn, In0.53Ga0.47As ni ibamu daradara pẹlu isoditice ti InP, ati pe o ni olusọdipupọ gbigba ina nla ni ẹgbẹ ibaraẹnisọrọ opiti, eyiti o jẹ lilo pupọ julọ ni igbaradi tifotodetectors, ati awọn dudu lọwọlọwọ ati idahun iṣẹ ni o wa tun ti o dara ju. Ni ẹẹkeji, InGaAs ati awọn ohun elo InP mejeeji ni iyara fifẹ elekitironi giga, ati iyara fifẹ elekitironi ti o kun fun iwọn 1 × 107 cm/s. Ni akoko kanna, InGaAs ati awọn ohun elo InP ni ipa iwọn iyara elekitironi labẹ aaye ina kan pato. Awọn iyara overshoot le ti wa ni pin si 4× 107cm/s ati 6×107cm/s, eyi ti o jẹ conducive lati mọ kan ti o tobi ti ngbe akoko-lopin bandiwidi. Ni bayi, InGaAs photodetector jẹ olutọpa ojulowo julọ julọ fun ibaraẹnisọrọ opiti, ati pe ọna asopọ isẹlẹ oju-aye ti wa ni lilo julọ ni ọja naa, ati 25 Gbaud / s ati 56 Gbaud / s awọn ọja ti n ṣawari iṣẹlẹ ti oju-iwe ti a ti mọ. Iwọn ti o kere ju, iṣẹlẹ ẹhin ati awọn aṣawari iṣẹlẹ iṣẹlẹ bandiwidi nla tun ti ni idagbasoke, eyiti o dara julọ fun iyara giga ati awọn ohun elo itẹlọrun giga. Bibẹẹkọ, iwadii isẹlẹ oju oju ni opin nipasẹ ipo isọpọ rẹ ati pe o nira lati ṣepọ pẹlu awọn ẹrọ optoelectronic miiran. Nitorinaa, pẹlu ilọsiwaju ti awọn ibeere isọpọ optoelectronic, waveguide pọ pẹlu InGaAs photodetectors pẹlu iṣẹ ṣiṣe ti o dara julọ ati pe o dara fun isọpọ ti di idojukọ ti iwadii, laarin eyiti iṣowo 70 GHz ati 110 GHz InGaAs photoprobe awọn modulu ti fẹrẹ jẹ gbogbo lilo awọn ẹya ti o ni idapo waveguide. Ni ibamu si awọn oriṣiriṣi awọn ohun elo sobusitireti, isọdọkan waveguide InGaAs photoelectric probe le ti pin si awọn ẹka meji: InP ati Si. Awọn ohun elo epitaxial lori sobusitireti InP ni didara giga ati pe o dara julọ fun igbaradi ti awọn ẹrọ ṣiṣe to gaju. Bibẹẹkọ, ọpọlọpọ awọn aiṣedeede laarin awọn ohun elo III-V, awọn ohun elo InGaAs ati awọn sobusitireti Si ti o dagba tabi ti a somọ lori awọn sobusitireti Si yorisi ohun elo ti ko dara tabi didara wiwo, ati iṣẹ ti ẹrọ naa tun ni yara nla fun ilọsiwaju.
Akoko ifiweranṣẹ: Oṣu kejila-31-2024