Wafer ti o yara pupọ ti o ṣiṣẹ gigaimọ-ẹrọ lesa
Agbara gigaawọn lesa ti o yara pupọWọ́n ń lò ó fún iṣẹ́-ẹ̀rọ tó ti pẹ́, ìwífún, ẹ̀rọ microelectronics, biomedicine, ààbò orílẹ̀-èdè àti àwọn ẹ̀ka ológun, àti ìwádìí ìmọ̀ sáyẹ́ǹsì tó báramu ṣe pàtàkì láti gbé ìṣẹ̀dá tuntun sáyẹ́ǹsì àti ìmọ̀ ẹ̀rọ orílẹ̀-èdè àti ìdàgbàsókè tó ga jùlọ lárugẹ.Ètò LésàPẹ̀lú àwọn àǹfààní agbára tó ga jùlọ, agbára ìlù ńlá àti dídára ìtànṣán tó dára ní ìbéèrè tó ga nínú físíìsì attosecond, ṣíṣe ohun èlò àti àwọn ẹ̀ka ìmọ̀ sáyẹ́ǹsì àti ilé iṣẹ́ mìíràn, àwọn orílẹ̀-èdè kárí ayé sì ti ń ṣàníyàn nípa rẹ̀.
Láìpẹ́ yìí, ẹgbẹ́ ìwádìí kan ní orílẹ̀-èdè China ti lo ẹ̀rọ wafer tí wọ́n ṣe àgbékalẹ̀ ara wọn àti ìmọ̀ ẹ̀rọ amplification regenerative láti ṣe àṣeyọrí iṣẹ́ gíga (ìdúróṣinṣin gíga, agbára gíga, dídára ìtànṣán gíga, àti iṣẹ́ gíga) wafer tí ó yára púpọ̀lesaÌjáde. Nípasẹ̀ ṣíṣe àgbékalẹ̀ ihò amplifier renovation àti ìṣàkóso ìwọ̀n otútù ojú ilẹ̀ àti ìdúróṣinṣin ẹ̀rọ ti kirísítà díìsìkì nínú ihò náà, a ṣe àṣeyọrí agbára ìlù kan ṣoṣo tí ó ju 300 μJ lọ, ìwọ̀n ìlù <7 ps, agbára àpapọ̀ >150 W, àti pé agbára ìyípadà ìmọ́lẹ̀ sí ìmọ́lẹ̀ tí ó ga jùlọ le dé 61%, èyí tí ó tún jẹ́ agbára ìyípadà opitika tí ó ga jùlọ tí a ròyìn títí di ìsinsìnyí. Ìdíwọ̀n dídára ìtànṣán M2 <1.06@150W, RMS ìdúróṣinṣin 8h <0.33%, àṣeyọrí yìí ṣe àmì ìlọsíwájú pàtàkì nínú lesa wafer ultrafast gíga, èyí tí yóò fúnni ní àǹfààní púpọ̀ sí i fún àwọn ohun èlò lesa ultrafast gíga.
Igbagbogbo atunwi giga, eto isọdọtun agbara wafer giga
A fi ìṣètò amplifier laser wafer hàn nínú Àwòrán 1. Ó ní orísun èso okùn, orí lésà tín-tín àti ihò amplifier tí ń tún ara ṣe. A lo oscillator oscillator fiber-doped ytterbium pẹ̀lú agbára àpapọ̀ ti 15 mW, ìgbì àárín gbùngbùn ti 1030 nm, ìwọ̀n pulse ti 7.1 ps àti ìwọ̀n àtúnṣe ti 30 MHz gẹ́gẹ́ bí orísun irúgbìn. Orí lésà wafer náà lo kírísítà Yb: YAG tí a ṣe nílé pẹ̀lú ìwọ̀n ìlà 8.8 mm àti nínípọn ti 150 µm àti ètò fífún omi ní ìlọ́po 48. Orílésà fifa omi náà lo ìlà zero-phonon LD pẹ̀lú ìgbì 969 nm tí ń tipa, èyí tí ó dín àbùkù quantum kù sí 5.8%. Ìṣètò ìtútù aláìlẹ́gbẹ́ náà lè mú kí kírísítà wafer tutù dáadáa kí ó sì rí i dájú pé ihò àtúnṣe náà dúró ṣinṣin. Ihò amplifier tí ń tún ara ṣe ní àwọn sẹ́ẹ̀lì Pockels (PC), Thin Film Polarizers (TFP), Quarter-Wave Plates (QWP) àti resonator gíga. A lo awọn isolator lati ṣe idiwọ fun imọlẹ ti o pọ si lati ba orisun irugbin jẹ pada. Eto isolator ti o ni TFP1, Rotator ati Half-Wave Plates (HWP) ni a lo lati ya awọn irugbin titẹ sii ati awọn pulses ti a ti ni ilọsiwaju sọtọ. Ilọ irugbin naa wọ inu yara imudara atunṣe nipasẹ TFP2. Awọn kirisita Barium metaborate (BBO), PC, ati QWP darapọ lati ṣe iyipada opitika ti o lo foliteji giga lorekore si PC lati yan pulse irugbin naa ki o tan kaakiri rẹ pada ati siwaju ninu iho naa. Ilọ ti o fẹ n yipo ninu iho naa o si n pọ si i daradara lakoko itankale irin-ajo yika nipa ṣiṣatunṣe akoko titẹ ti apoti naa daradara.
Amplifier regeneration wafer fi iṣẹ́ àgbékalẹ̀ tó dára hàn, yóò sì kó ipa pàtàkì nínú àwọn iṣẹ́ ìṣẹ̀dá tó ga jùlọ bíi extreme ultraviolet lithography, attosecond pump source, 3C electronics, àti àwọn ọkọ̀ agbára tuntun. Ní àkókò kan náà, a retí pé a ó lo ìmọ̀ ẹ̀rọ wafer laser fún àwọn ọkọ̀ alágbára ńláńlá tó lágbára gan-an.awọn ẹrọ lesa, tí ó ń pèsè ọ̀nà àyẹ̀wò tuntun fún ìṣẹ̀dá àti wíwá ohun èlò dáadáa lórí ìwọ̀n ààyè nanoscale àti ìwọ̀n àkókò femtosecond. Pẹ̀lú ète láti ṣiṣẹ́ fún àwọn àìní pàtàkì orílẹ̀-èdè náà, ẹgbẹ́ iṣẹ́ náà yóò tẹ̀síwájú láti dojúkọ ìṣẹ̀dá ìmọ̀-ẹ̀rọ laser, láti tún ṣe ìmúrasílẹ̀ àwọn kirisita laser alágbára gíga, àti láti mú agbára ìwádìí àti ìdàgbàsókè àwọn ohun èlò laser pọ̀ sí i ní àwọn ẹ̀ka ìwífún, agbára, ohun èlò gíga àti bẹ́ẹ̀ bẹ́ẹ̀ lọ.
Àkókò ìfìwéránṣẹ́: May-28-2024